Тонкая кристаллическая структура некоторых сверхпроводящих фаз и родственных соединений

  • автор:
  • специальность ВАК РФ: 02.00.01
  • научная степень: Кандидатская
  • год защиты: 2007
  • место защиты: Москва
  • количество страниц: 147 с. : ил.
  • бесплатно скачать автореферат
  • стоимость: 230 руб.
  • нашли дешевле: сделаем скидку

действует скидка от количества
2 работы по 214 руб.
3, 4 работы по 207 руб.
5, 6 работ по 196 руб.
7 и более работ по 184 руб.
Титульный лист Тонкая кристаллическая структура некоторых сверхпроводящих фаз и родственных соединений
Оглавление Тонкая кристаллическая структура некоторых сверхпроводящих фаз и родственных соединений
Содержание Тонкая кристаллическая структура некоторых сверхпроводящих фаз и родственных соединений
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления


Фазы кристаллизуются в тетрагональной или ромбической сингонии с параметрами а Ь 3. А, с . Характерная зависимость параметров решетки 3 фаз приведена на Рис. При этом температура перехода в сверхпроводящее состояние изменяется как представлено на Рис. Температура перехода мало зависит от редкоземельного элемента за исключением Се, Рг и ТЬ. На кривых выделяются два плато с температурами перехода около К и около К. Таким образом, кислородная стехиометрия является определяющей для проявления сверхпроводящих свойств. Структура 3 фаз Рис. СиСЬ, и цепочки СиО которые можно рассматривать как слои СиО Ц где вакансия. В идеальной структуре позиции индексация атомов представлена на Рис. Таким образом, идеальная структура соответствует для формулы ЬпВа2Сиз. В реальных структурах 6 изменяется в широких пределах, 0 6 1. Вероятно, именно неравномерным по образцу содержанием кислорода можно объяснить, что, даже при , уточнение показывало частичное заселение позиции при уменьшении заселенности позиции 6 уточнение проводилось по данным порошковой дифракции нейтронов. В других исследованиях заполнение этой позиции не подтвердилось 7, 8. При 3 фаза обладает высокой температурой сверхпроводящего перехода, которая сохраняется до значения . При дальнейшем увеличении о происходит понижение заселенности позиции . По данным разных авторов, переход из ромбической в тетрагональную сингонию происходит при значениях 5 от 0. Не исключено, что причиной такого разброса являются химическая неоднородность образца, неточности в определении кислородного содержания, большая ширина линий на рентгенограммах, затрудняющая точное определение точки перехода из ромбической сингонии в тетрагональную. Тщательные исследования, проведенные при низких температурах отжига в присутствии геттера, показали, что такой разброс данных получается при значительном вкладе энтропии при высоких температурах отжига и последующих закалок образцов 5. При низкотемпературных отжигах структурные особенности
Рис. Структура ромбической модификации 3 фазы на примере УВазСизО. Величина б и. СИНГОНИЮ зависят не ТОЛЬКО от температуры, НО и парциального давления кислорода При отжиге. Уточнение структур 3 фаз с разным содержанием кислорода из нейтронографических данных, полученных при 5К, показало полное отсутствие кислорода в позиции . Исчезновение сверхпроводящих свойств, переход из ромбической в тетрагональную сингонию, скачкообразное увеличение парамегра с и объема элементарной ячейки происходят при значениях содержания кислорода немного меньше 6. Изменения межатомных расстояний от содержания кислорода в интервале от 7 до 6. При последнем значении некоторые расстояния Ва, Ва, Ва скачком изменяют значение и далее почти не меняются до минимального кислородного содержания, равного 6. И только расстояние Си2 является зеркальным отражением зависимости 5Тс мало изменяется при 0. А, затем монотонно возрастает до значений 2. А 5 0. А и далее остается практически постоянным. При этом сумма валентных усилий , рассчитанная из межатомных расстояний для атома меди в сверхпроводящем слое, в точности повторяет зависимость температуры сверхпроводящего перехода от содержания кислорода Рис. Таким образом, установлено, что при изменении содержания кислорода формальная степень окисления меди в проводящем слое СиОг меняется нелинейно в отличие от Си1, где сумма валентных усилий линейно убывает с уменьшением кислородного содержания, что, в свою очередь, находит отражение в изменении концентрации электронов в зоне проводимости и, следовательно, влияет на Тс. При замещении части атомов Ва на 3 и образовании твердых растворов М1хВа2. Сиз. Тс от х при максимальных 8 напоминают зависимости параметров ячейки и Тс от 8 для 3 фазы При синтезе твердого раствора на воздухе с последующим отжигом в потоке кислорода при 0С ромбическая сингония сохраняется до значений х0. Параметр а и Ь для ромбической сингонии при замещении немного растет, параметр с сильно уменьшается. Эти структурные изменения хорошо коррелируют с изменением температуры перехода в сверхпроводящее состояние. До значения х0. Тс.
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Рекомендуемые диссертации данного раздела