Влияние химических и фазовых равновесий на средний порядок и физико-химические свойства халькогенидных стекол

1.1. Синтез халькогенидных стекол
1.2. Химическая стойкость стекол.
1.2.1. О тенденциях в развитии теории и эксперимента по
химической стойкости стекол
1.2.2. Кинетика химического травления халькогенидных
стекол.
1.2.2.1. Системы А В , А7 В , А В7 С ,
А1СШ.ВУ СУ1 .
1.2.2.2. Закономерности химического растворения стеклообразных халькогенидов
1.2.3. Химический эквивалент халькогенидных стекол.
1. 2.3.1. Системы А В 
1.2.3.2. Системы А7 В .
1.2.3.3. Системы А В7 С 
1.2.3.4. Системы А1 В С 
1.2.3.5. Системы А1 В С 
1.2.3.6. Системы А1 В7 С 
1.2.3.7. Системы А1 В7 С .
1.2.3.8. Закономерности концентрационной зависимости химического эквивалента халькогенидных стекол
1.3. Электрохимическая стойкость стекол.
1.3.1. Электрохимический эквивалент халькогенидных стекол.
1.3.1.1. Системы АВ . А7В . АВ7С
1.3.1.2. Системы А В С1 
1.3.1.3. Системы А С 
1.3.1.4. Системы А1ВС 
1.3.1.5. Системы А1В7 С 
1.3.1.6. Закономерности электрохимического растворения халькогенидных стекол.
1.4. Электрохимический механизм химического растворения стеклообразных халькогенидов в растворах электролитов
1.5. Электродные свойства халькогенидных стекол.
1.5.1. 0 тенденциях в развитии теории и эксперимента по
изучению электродных свойств стеклообразных сплавов.
1.5.2. Электродные функции халькогенидных стекол по
отношению к катионам Хг , Ре0 .
1.5.2.1. Системы А С 
1.5.2.2. Системы АВС, АШВС, АШВ7С,
1.5.2.3. Закономерности формирования электродного потенциала халькогенидных стекол по отношению к катионам
2, 
1.6. Заключение к главе 1.
Глава 2. ЭЛЕКТРОННОКОНФИГУРАЦИОННАЯ МОДЕЛЬ
СТЕКЛБРАВАНИЯ.
2.1. Роль стабильных электронных конфигураций в
формировании стеклообразующей способности сплавов.
2.1.1. Электронное строение атомов и стеклообразование
простых веществ. 
2.1.2. Стеклообразование бинарных халькогенидов и
рэлементов.
2.1.3. Стеклообразование тройных халькогенидов и
рэлементов.
2.1.4. Стеклообразование тройных халькогенидов, содержащих и элементы
2.1.5. Стеклообразование оксидных, халькогенидногалогенидных и галогенидных сплавов
2.1.6. Стеклообразование алмазоподобных и металлических сплавов
2.2. Закономерности стеклообразования диэлектриков, полупроводников и металлов.
2.3. Стабильные электронные конфигурации атомов и кристаллизационная способность халькогенидных стекол 
2.4. Химическая связь в стеклообразных сплавах
2.4.1. Обзор концепций химической связи в стеклах.
2.4.2. Химическая связь в халькогенидных стеклах
2.4.3. Индукционный эффект и эффект катенирования в стеклообразных сплавах.
2.5. Заключение к главе 2.
Глава 3. ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ И ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОБЛЕМЫ
СТРУКТУРБРАВАНИЯ В СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВАХ 
3.1. Топологический анализ моделей структуры стекла 
3.2. Топологическая модель структурообразования в стеклах
3.3. Структура халькогенидных стеклообразных сплавов 
3.3.1. Обзор представлений о структурных особенностях стеклообразных халькогенидов.
3.3.2. Структурные элементы ближнего, среднего и дальнего порядков.
3.3.3. Анионнокатионная роль атомов в структуре стекол 
3.3.4. Реперные и дефектные структурные элементы
3.3.5. Изоэлектронные структурные элементы
3.4. Кинетикотопологическое описание структуры стекол. 
3.5. Заключение к главе 3.
Глава 4. НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ФИЗИКОХИМИЧЕСКОГО АНАЛИЗА
КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ СИСТЕМ
4.1. Физикохимический анализ кристаллических систем
4.1.1. О тенденциях в развитии теории и эксперимента в
Ф X А кристаллических систем.
4.1.2. Роль особенностей электронного строения атомов в формировании стабильных и метастабильных соединений 
4.1.3. Стабильные и метастабильные фазовые равновесия.
4.1.4. Диаграммы состояния систем А , А В ,
4.1.5. Диаграммы состояния таллийсодержащих халькогенидных
систем.
4.1.5.1. Системы А1П V VI .
4.1.5.2. Системы А1 IV VI .
4.1.5.3. Закономерности образования таллийсодержащих соединений
4.2. Физикохимический анализ стеклообразных систем 
4.2.1. О тенденциях в развитии теории и эксперимента в
Ф X А стеклообразных систем
4.2.2. Эвтектоидная модель стеклообразного состояния вещества
4.2.3. Диаграммы состав свойство стекол халькогенидных систем
4.2.4. О проблеме малых добавок.
4.3. Заключение к главе 
Глава 5. МАГНЕТО И ДИЭЛЬКОМЕТРИЯ СТЕКЛООБРАЗНЫХ
ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СИСТЕМ
5.1. Магнитная восприимчивость халькогенидных стекол 
5.1.1. Электронное строение атомов и магнитные свойства простых веществ и их соединений.
5.1.2. О тенденциях в развитии теории магнетометрии стеклообразных систем
5.1.3. Магнетометрия стеклообразных систем с позиции эвтектоидной модели стеклообразного состояния вещества.
5.1.4. Магнетометрия систем АВ, АВг АВС .
5.1.5. Магнетометрия систем А В 
5.1.6. Магнетометрия систем АВС 
5.1.7. Магнетометрия систем АВ 
5.1.8. Закономерности магнетометрического анализа стеклообразных халькогенидных систем.
5.1.9. Температурная зависимость магнитной восприимчивости и плотности стеклообразных и расплавленных халькогенидов
5.1 Псевдобинарная модель перехода полупроводник металл в халькогенидных расплавах
5.2. Диэлектрическая проницаемость стекол
5.2.1. Электронное строение атомов и диэлектрические свойства простых веществ и их соединений.
5.2.2. Диэлькометрия стеклообразных систем с позиции эвтектоидной модели стеклообразного состояния вещества.
5.2.3. Закономерности диэлькометрического анализа стеклообразных халькогенидных систем.
5.3. Заключение к главе 
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 
ЛИТЕРАТУРА


Аш0 образца стеклообразного сплава на примере стекла АБед от температуры Т при скорости его нагрева 0, градмин в 5м. ИаОН. Рис. К0. ИаОН. Ат0 по температуре, которую можно найти для выбранной температуры как угловой коэффициент касательной на графике зависимости Дт0 от Т. Нахождение энергии активации и предэкспоненциального множителя осуществляется уже традиционным способом из графиков типа 1. Для этого графика значения скорости рассчитывались через каждые 2 . Найденная нестационарным методом величина энергии активации растворения стекла АэБез составляет ,0 ккалмоль, что хорошо согласуется с литературными данными С . Воспроизводимость результатов по 1г составляет 0,3 , по V С . У ТЭТТ сПГ КС С1. ЕпЖМОЛЬС. Рис. Зависимость 1пУ7 от 1Г для стеклообразного сплава АБе при его растворении в 5м. ИаОН. Рис. Зависимость С от времени при добавлении порций 5 м. КаОН к дистиллированной воде через одинаковые Са и графически рассчитанные Сб промежутки времени. Рис. Зависимость убыли массы Дга халькогенидного стекла БЬОерБву от концентрации щелочного раствора Смли при С. I
Рис. Зависимость 1дУ7 от 1даон Для стекла состава БЬСеБеу при С. Использование нестационарной методики исследования кинетики раотьорения твердых тел позволяет уменьшить время проведения эксперимента, а также проводить эксперимент, не вынимая образец из раствора. В качестве примера в таблице 1. РБеТе в щелочных растворах, а в таблицах нестационарным методом значения 1п V, Еа, С, С,
к, п стеклообразных сплавов системы ЗеБЬБе при растворении их в 0. ИаОН. Из рис. РБе зТех резко понижается. Отмеченная особенность не зависит от температуры и концентрации раствора щелочи и обусловлена изменением структурнохимического состава стекол при введении теллура, появлением в их каркасе наряду со структурными единицами Сс. ТеБе и ТеТе. ШМ0ЛЬЛ Еа. X 1 1 
Рис. Зависимость энергии активации Еа1 и скорости растворения 1дЫ при СС2 в 0. ИаОН от содержания Те в стеклах Р5е2 5ТехСа и РБе 0Тех5. Таблица 1. Состав ат. Те м ккалмоль с. РЗе2. РБе2 5Те0 4 0. Кег. Те0. РЗе2. Те1. РЗе2. Те2. РЗе4. Р8е4. Те0. РЗе4. Те1. Р8е4. Те2. РЗе4. ТеЗ. ЫО 9
Таблица 1. Значения 1г, Еа, Ст, Сэ стеклообразных сплавов системы ЗеБЬБе при растворении их в 0. Состав стекла 1п УСС, СМОЛЬСМос Еа ккалмоль С, с. Э Р7 р Стсс. ОеЗЬЗвд 0 . Се2Ь0. ЗЬЗву д . СеБЬ 5Е7 д . Таблица 1. Значения константы скорости Ск и порядка п реакции растворения стеклообразных сплавов системы ЗеЗЬЗе в 0. СеЗЬЗвд 0 4. Сез ЬСву 0 6. Се2. Е1. Ее6. Се2. Ръг. При содержании теллура в стеклах данного сечения свыше ат. С С. Для нас представляет интерес информация о характере микронеоднородности стекол, которая в изобилии появляется при исследовании кинетики растворения халькогенидных стекол. Используя полученные нами таблицы и литературные данные по кинетике растворения стекол системы , можно выделить область составов стекол в центре области стеклообразования, в которой стекла соответствуют молекулярнодисперсному растворению в щелочных растворах Сэ Ст рис. Для стекол, близких по составу к границе стеклообразования, только часть поверхности используется в процессе растворения Сэ С. При этом механизм основного процесса практически неизменен, судя по величине порядка реакции, близкой к 1 таблица 1. I1. БИБЛИОТЕКА
Рис. Область стеклообразования С1 системы , внутренняя часть 2 которой отвечает условию Сэ Ст , а внешняя С0 Ст С 3,5 результаты, полученные нами 4,6 литературные данные . Таблица 1. СЭСТ характерно для стекол главным образом с недостатком халькогена, а СЭСТ 0 избытком халькогена. Два последних случая с другой стороны характерны для стекол , близких по составу к границам стеклообразования, т. Это следует из построенного нами графика, иллюстрирующего компенсационный эффект и представленного на рис. Из рисунка видно, что Еа и 1пСэ корреляционно связаны между собой у халькогенидных стекол по эмпирической формуле С 1. Еа 0,пСэ ,5 , С1. Рис. Корреляция величин 1пСэ и Еа для халькогенидных стеклообразных сплавов в случае их растворениия в щелочных растворах.