Наноструктурирование ферромагнитных пленок зондовыми методами для перспективных устройств магнитоакустики и спинтроники

  • автор:
  • специальность ВАК РФ: 05.27.01
  • научная степень: Кандидатская
  • год защиты: 2015
  • место защиты: Саратов
  • количество страниц: 136 с. : ил.
  • бесплатно скачать автореферат
  • стоимость: 230 руб.
  • нашли дешевле: сделаем скидку

действует скидка от количества
2 работы по 214 руб.
3, 4 работы по 207 руб.
5, 6 работ по 196 руб.
7 и более работ по 184 руб.
Титульный лист Наноструктурирование ферромагнитных пленок зондовыми методами для перспективных устройств магнитоакустики и спинтроники
Оглавление Наноструктурирование ферромагнитных пленок зондовыми методами для перспективных устройств магнитоакустики и спинтроники
Содержание Наноструктурирование ферромагнитных пленок зондовыми методами для перспективных устройств магнитоакустики и спинтроники
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Содержание
Введение
Глава 1. Методы литографии и их применение для создания микро- и наноструктур
1.1 Основные литографические методы
1.2 Методы сканирующей зондовой литографии
1.2.1 Принцип сканирующей зондовой литографии
1.2.2 Принцип работы атомно-силового микроскопа
1.2.3 Виды сканирующей зондовой литографии
1.2.4 Локальное анодное окисление: принцип и применение
1.2.5 Механическое наноскрайбирование: принцип и применение
1.3 Электронно-лучевая литография
1.3.1 Принцип электронно-лучевой литографии
1.3.2 Резисты для электронно-лучевой литографии
1.3.3 Параметры экспонирования
1.3.4 Сложности, возникающие во время проведения электронно-лучевой литографии
1.3.5 Применение электронно-лучевой литографии
1.4 Выводы и постановка задачи
Глава 2. Локальное анодное окисление тонких пленок ферромагнитных металлов
2.1 Введение
2.2 Тонкие пленки ферромагнитных металлов
2.2.1 Нанесение
2.2.2 Текстура
2.3 Методика эспериментов
2.3.1 Материалы
2.3.2 Инструменты

2.3.3 Локальное анодное окисление и параметры его проведения
2.3.4 Определение размеров оксидных структур
2.4 Влияние параметров локального анодного окисления на размеры оксидных структур
2.4.1 Влияние напряжения между зондом и образцом
2.4.2 Влияние времени окисления
2.4.3 Влияние влажности
2.4.4 Влияние амплитуды колебаний зонда
2.5 Влияние зонда на размеры оксидных структур
2.6 Влияние текстуры пленки никеля на размеры оксидных структур
2.7 Выводы
Глава 3. Изучение химических и электрических свойств структур, полученных на пленках ферромагнитных металлов с помощью локального анодного окисления
3.1 Введение
3.2 Вольт-амперные характеристики структур, полученных на пленках ферромагнитных металлов с помощью локального анодного окисления
3.3 Оже-спектроскопия структур, полученных на пленках ферромагнитных металлов
с помощью локального анодного окисления
3.4 Выводы
Глава 4. Изучение магниторезистивных свойств структур, полученных на пленках
ферромагнитных металлов с помощью наноскрайбирования зондом атомносилового микроскопа
4.1 Введение
4.2 Магнитосопротивление
4.3 Методика эксперимента
4.4 Результаты эксперимента
4.5 Теоретическое обоснование экспериментальных результатов
4.6 Выводы

Глава 5. Высокочастотные фононные кристаллы для поверхностных акустических волн
на пленках ферромагнитных металлов
5.1 Введение
5.2 Фононные кристаллы
5.3 Исследование возможности создания фононных кристаллов для поверхностных акустических волн с помощью локального анодного окисления
5.4 Исследование фононных кристаллов для поверхностных акустических волн, полученных с помощью электронно-лучевой литографии
5.4.1 Проектирование Ш фононных кристаллов
5.4.2 Разработка технологического процесса получения Ш фононных кристаллов
5.4.3 Исследование полученных Ш фононных кристаллов
5.4.4 Исследование возможности получения 20 фононных кристаллов
5.4.5 Исследование влияния магнитного поля на распространение ПАВ в структурах М/ЫМбОз
5.5 Выводы
Заключение
Список сокращений и условных обозначений
Список литературы
Приложение
Благодарности

Рисунок 1.23. Эффект близости в позитивном резисте [109].
Рассеяние электронов может быть смоделировано с использованием метода Монте-Карло [113] (Рисунок 1.24). Это может быть полезным при поиске путей снижения влияния эффекта близости.
(a) Beam energy :30 KeV

—м.. as—“эх
Forward scattering
Forward
Рисунок 1.24. Моделирование методом Монте-Карло рассеяния в резисте и обратного рассеяния электронов В пучках С энергиями Еьеат=30 и Еьеат=100 кэВ [1 13].
Forward scattering
Итак эффект близости может быть преодолен следующими методами:
1. Использование пучков с высокой энергией. Рассеяние в резисте будет невелико, а обратно рассеянные электроны будут распределены на большой площади (Рисунок 1.24).
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Рекомендуемые диссертации данного раздела