Особенности электронных и кинетических свойств анизотропных и кластерных полупроводниковых структур

  • Автор:
  • Специальность ВАК РФ: 01.04.10
  • Научная степень: Кандидатская
  • Год защиты: 2014
  • Место защиты: Липецк
  • Количество страниц: 166 с. : ил.
  • бесплатно скачать автореферат
  • Стоимость: 250 руб.
Титульный лист Особенности электронных и кинетических свойств анизотропных и кластерных полупроводниковых структур
Оглавление Особенности электронных и кинетических свойств анизотропных и кластерных полупроводниковых структур
Содержание Особенности электронных и кинетических свойств анизотропных и кластерных полупроводниковых структур
ГЛАВА 1. Распределение электрических полей в анизотропных
кристаллах и пленках при зондовых измерениях
§ 1.1. Особенности кинетических явлений в анизотропных
полупроводниках (обзор литературных данных)
§ 1.2. Моделирование электрического поля в пластинах анизотропных полупроводников
1.2.1. Распределение электрического потенциала токового зонда к анизотропной пластине
1.2.2. Распределение потенциала токового зонда в ограниченных полупроводниках
§ 1.3 Распределения трехмерного электрического поля в объемных анизотропных полупроводниках
1.3.1. Моделирование электрического потенциала токового зонда к проводящему анизотропному полупространству
1.3.2. Распределение потенциала токового зонда к ограниченному анизотропному полупроводниковому образцу
1.3.3. Распределение потенциала в прямоугольных полупроводниковых образцах на проводящей и диэлектрической подложках
1.3.4. Расчет распределения электрического потенциала в анизотропных полупроводниках в форме диска и шайбах
1.3.5. Экспериментальная проверка теоретического моделирования... 37 § 1.4. Четырехзондовый метод измерения электропроводности слоистых полупроводниковых кристаллов
Выводы и результаты первой главы
ГЛАВА 2. Особенности явлений электронного переноса в
искусственно анизотропных крсмннй-германиевых структурах
§ 2.1. Особенности свойств материалов и структур современной элек-
троники на основе механически напряженных полупроводниковых материалов (обзор)
§ 2.2. Деформации и зонная структура напряженных кремний-германиевых гетероструктур
2.2.1. Расчёт деформаций в гетероструктурах с совмещенной кристаллической решеткой
2.2.2. Смещения энергетических зон в гетероструктуре 81 - Се
§ 2.3. Особенности электрических полей в механически напряженных
каналах кремниевых транзисторов
2.3.1. Моделирование подвижности носителей тока в напряженных слоях кремния
2.3.2. Распределение электрических полей в напряженных полупроводниковых каналах МДП транзисторов
§ 2.4 Моделирование распределения электрического поля в слоистых анизотропных и изотропных полупроводниках
2.4.1. Двухслойная анизотропно-неоднородная структура
2.4.2. Методика измерения удельных электропроводностей двуслойных изотропных полупроводниковых пластин и пленок
Выводы и результаты второй главы
ГЛАВА 3. Моделирование атомной и электронной структуры
кремниевых кластеров
§3.1. Основные расчетные методы современной квантовой теории
строения молекул (обзор)
§ 3.2. Модельные представления о проводимости полупроводниковых
наночастиц
§ 3.3. Квантовохимическое моделирование электронных характеристик
кремниевых наночастиц с малым числом атомов (Б1 П,п — 2-10,13)
§ 3.4. Моделирование электронной структуры кремниевых кластеров
сфероидальной формы
3.4.1. Моделирование электронных свойств кремниевых наночастиц
81,з с плотной атомной упаковкой
3.4.2. Квантовохимическое моделирование фуллереноподобных
кремниевых наноструктур
§ 3.5. Моделирование электронной структуры кремниевых напряженных наночастиц
Выводы и результаты третьей главы
Заключение
Литература

чие гладкой границы на плоскости раздела контакта и полупроводниковой поверхности.
1.3.4. Расчет распределения электрического потенциала в анизотропных полупроводниках в форме диска и шайбах
При выращивании кристаллов полупроводников наиболее часто получают цилиндры. Соответственно, определим распределение потенциала в области анизотропного цилиндра (рис. 1.7). Считаем, что электропроводность полупроводника отличается в двух направлениях: в плоскости кругового сечения цилиндра и перпендикулярно ему, то есть тензор удельной электропроводности представим в виде:
(1.3.38)
где <т1 - значение удельной электропроводности вдоль оси г; сг„ — удельная проводимость по осям х и у. Подобного рода анизотропия может быть вызвана структурой кристалла или влиянием деформаций [45, 49], а также возникать в квантово-размерных пленках [43, 44].

у 0 0 '
д = 0 <*11
0 I-

Рис. 1.7. Вид анизотропного цилиндра с заземленной нижней гранью (а) и непроводящей гранью (Ь) с размещенными на нем контактами.

Рекомендуемые диссертации данного раздела