Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках

  • Автор:
  • Специальность ВАК РФ: 01.04.10
  • Научная степень: Кандидатская
  • Год защиты: 2002
  • Место защиты: Пенза
  • Количество страниц: 182 с.
  • Стоимость: 230 руб.
Титульный лист Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
Оглавление Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
Содержание Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках кислороднооктаэдрического типа
1.1. Дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости
1.1.1. Доменные стенки в перовскитоподобных сегнетоэлектриках
1.1.2. Влияние дефектов на движение доменных стенок
1.1.3. Дисперсия диэлектрической проницаемости деба-евскоготипа
1.1.4. Модели, учитывающие распределение релаксаторов
1.1.5. Влияние доменных стенок на деформацию сегнето-электриков
1.2. Влияние рентгеновского излучения на характеристики титаната бария и ЦТС
1.2.1. Обзор экспериментальных данных
1.2.2. Радиационно-стимулированное старение
1.2.3. Модели радиационного дефектообразования
Выводы
2. Сечения радиационного дефектообразования
2.1. Дефектообразование комптоновскими электронами
2.1.1. Неупругое (ионизационное) дефектообразование комптоновскими электронами
2.1.2. Среднее значение сечения ионизации комптоновскими электронами
2.1.3. Многократная ионизация
2.1.4. Расчет вероятности дефектообразования по меха-

низмуВарли
2.1.5. Оценка энергии смещения
2.1.6. Сечения упругого дефектообразования комптонов-скими электронами
2.1.7. Расчет среднего линейного пробега электронов
в ЦТС
2.2. Фотопоглощение
2.2.1. Расчет сечений фотопоглощения на атомах, составляющих титанат бария и ЦТС
2.2.2. Расчет сечений фотопоглощения в титанате бария
и ЦТС
2.2.3. Оже-деструкция вследствие фотопоглощения на глубоких оболочках атомов
2.2.4. Ионизационное и упругое дефектообразование фотоэлектронами
Выводы
3. Аппаратное и программное обеспечение для измерения и обработки диэлектрических характеристик сегнетоэлектри-ков
3.1. Назначение и состав автоматизированного измерительного комплекса
3.2. Разработка программного обеспечения для расчета функции распределения релаксаторов
3.2.1. Анализ корректности поставленной задачи
3.2.2. Логарифмическая трансформация аргумента и сведение уравнения Фрелиха к виду свертки
3.2.3. Представление уравнений в виде уравнения Фред-гольма общего вида. Регуляризованное интегральное уравнение

3.2.4. Обобщенный принцип невязки для выбора параметра регуляризации а
3.2.5. Описание численного алгоритма
3.2.6. Тестирование программного обеспечения
Выводы
4. Экспериментальные результаты
4.1. Технология изготовления и структура образцов
4.2. Методика эксперимента и обработки результатов
4.3. Исследование влияния облучения на релаксационные процессы
4.4. Исследование влияния облучения на процессы перепо-ляризации
4.5. Гармонический анализ электрического смещения и исследование влияния облучения на амплитуды гармоник
4.6. Анализ результатов экспериментальных исследований
Выводы
Заключение
Литература
Приложение А
Приложение Б
Приложение В
Приложение Г

щенной петлей гистерезиса остаточная поляризация сначала увеличивается в 2-4 раза, а затем уменьшается вдвое [39].
В образцах с прямоугольной петлей гистерезиса наблюдалось уменьшение остаточной поляризации и незначительное увеличение коэрцитивной силы при сохранении формы петли. В образцах, имеющих ненасыщенные петли и значительное число а-доменов, после облучения наблюдалась отчетливая перетяжка в поле Есм=3 кВ/см при дозе 3.2-109 Р, а также уменьшение температуры фазового перехода и температурного гистерезиса [37].
В поликристаллическом титанате бария при у-облучении авторы [36] также наблюдали понижение температуры фазового перехода. Так как сдвиг фазового перехода можно индуцировать с помощью внешнего смещения [1], возможно сдвиг фазового перехода при облучении обусловлен внутренним полем смещения.
При облучении электронами энергией Ее-.А эВ кристаллов тита-ната бария отсутствуют искажения типа перетяжки, и не меняется величина коэрцитивного поля [38, 42]. С увеличением дозы уменьшается нелинейность восприимчивости, вплоть до полного подавления при дозе 2-1016 эл/см2, а диэлектрическая проницаемость на частоте 50 Гц снижается на порядок.
Остаточная поляризация при начальном облучении несколько увеличивается, а затем значительно уменьшается. Эти изменения аналогичны тем, что наблюдаются при термообработке (обновлении) состаренных образцов. При дальнейшем облучении происходит подавление характеристик, как при старении.
Предполагая, что все эффекты облучения связаны со смещениями атомов кислорода по упругому механизму, авторы [38, 42, 43] проводили облучение электронами разной энергии от 1.14 до 0.14 МэВ. Оказалось, что в области 1.14-0.23 МэВ эффект облучения качественно не менялся,

Рекомендуемые диссертации данного раздела