Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников

  • автор:
  • специальность ВАК РФ: 01.04.10
  • научная степень: Кандидатская
  • год, место защиты: 2010, Санкт-Петербург
  • количество страниц: 106 с. : ил.
  • бесплатно скачать автореферат
  • стоимость: 240,00 руб.
  • нашли дешевле: сделаем скидку
  • формат: PDF + TXT (текстовый слой)
pdftxt

действует скидка от количества
2 диссертации по 223 руб.
3, 4 диссертации по 216 руб.
5, 6 диссертаций по 204 руб.
7 и более диссертаций по 192 руб.
Титульный лист Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
Оглавление Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
Содержание Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Некоторые обозначения
Глава 1. Модели адсорбции, адсорбционные эффекты и поверхностные свойства оксидных полупроводников
1.1. Модели адсорбции на металлах и полупроводниках
1.2. Адсорбционные эффекты
1.3. Оксидные полупроводники
1.4. Постановка задачи
Глава 2. Изменение поверхностной проводимости полупроводниковой подложки, вызванное адсорбцией: общие соотношения
2.1. Наведенная адсорбцией поверхностная проводимость
2.2. Связь изменения поверхностной проводимости с работой выхода адсорбционной системы
2.3. Влияние неосновных носителей
2.4. Влияние поверхностного потенциала на поверхностную проводимость
на примере 81
Краткие выводы
Глава 3. Адсорбция атомов водорода и молекул кислорода на поверхности ZnO и ТЮ
3.1. Адсорбция водорода на ZnO
3.2. Адсорбция кислорода на ZnO и ТЮ
3.3. Оценки зависимости поверхностной подвижности электронов от
степени покрытия и температуры
Краткие выводы
Глава 4. Модели поверхностной подвижности
4.1. Влияние поверхности на подвижность носителей в металлах и полупроводниках (основные положения)

4.2. Модель Шриффера
4.3. Учет связи поверхностной подвижности с изменением работы выхода
в модели Шриффера
4.4. Эмпирический подход к оценке поверхностной подвижности:
«объемная» модель
Краткие выводы
Приложение. Оценки заряда адсорбированных частиц по методу
связывающих орбиталей Харрисона
Заключение
Список литературы
ВВЕДЕНИЕ
Внимание к изучению адсорбционных явлений обусловлено как практической ценностью получаемых результатов для технических и технологических приложений, так и возможностью получения информации о фундаментальных физико-химических процессах взаимодействия твердого тела с чужеродными атомами. Несомненный интерес представляют исследования влияния адсорбции на поверхностные свойства полупроводниковых подложек. Выяснение механизмов такого влияния необходимо для понимания процессов легирования полупроводниковых кристаллов в процессе их роста, пассивации примесей, поверхностной очистки и травления; катализа [1-3]. В последнее время возрос интерес к исследованию влияния молекул, (атомов) газа на поверхностные свойства таких перспективных материалов, как полупроводниковые оксиды. Выяснение механизмов такого влияния необходимо, в частности, для разработки полупроводниковых газовых сенсоров. [4-8].
Можно выделить два главных эффекта, вызываемых адсорбцией. Первый эффект - это изменение работы выхода адсорбционной системы Дф (ф - работа выхода «чистой» подложки), обусловленное- обменом электронами между адатомом и подложкой. Такой обмен, естественно, приводит к изменению концентрации электронов в приповерхностной области.
Второй эффект - это изменение поверхностной проводимости подложки ДСг (в - объемная проводимость). Причины этого эффекта двояки. Во-первых, как и в случае работы выхода, в приповерхностной области меняется концентрация электронов. Во-вторых, адчастицы представляют собой дополнительные центры рассеяния электронов, что

АСР = ецрГ'}М10|г|. (2.21)
Это очень важный результат, показывающий, что ДСр »= 0 121.
Такая пропорциональность постулировалась ранее в работах [40, 43] на основании общих соображений. Таким образом, при адсорбции частиц, захватывающих электроны из подложки р - типа, поверхностная дырочная проводимость увеличивается прямо пропорционально произведению
©|г|.
б) Электронный полупроводник В данном случае вместо (2.1) имеем
ДСП =е|Дп ][п(х)-п]йх
(2.22)

ДОп=-ерппЯ1-е-¥]бх.

(2.23)
Проделав те же преобразования, что и в предыдущем случае, получим вместо (2.3) следующее выражение

ЛС" =е^п * ТГТГл^-О (ё|;/йх)
Вместо (2.7) получим уравнение Пуассона вида
12„, „2.
а ¥= е п Ь с-¥|
бх2 е0еквт
из которого следует
^бу;Л
= 17п2[1|/ + е^] + С,

£08квТ

(2.24)
(2.25)
(2.26)
(2.27)
Определяя постоянную С из граничных условий (2.4), получим
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Рекомендуемые диссертации данного раздела