Оптимизация параметров излучателей сверхкоротких импульсов

  • Автор:
  • Специальность ВАК РФ: 01.04.03
  • Научная степень: Кандидатская
  • Год защиты: 2012
  • Место защиты: Воронеж
  • Количество страниц: 150 с. : ил.
  • бесплатно скачать автореферат
  • Стоимость: 230 руб.
Титульный лист Оптимизация параметров излучателей сверхкоротких импульсов
Оглавление Оптимизация параметров излучателей сверхкоротких импульсов
Содержание Оптимизация параметров излучателей сверхкоротких импульсов
Список используемых сокращений
Глава 1. Моделирование сверхширокополосной системы, излучающей сверхкороткие импульсы
1.1. Характеристики излучения сверхкоротких импульсов
1.2. Методы электродинамического моделирования во временной области
1.3. Задание граничных и начальных условий, расчет рассеянного и излученного поля
1.4. Моделирование ТЕМ-рупора
Выводы
Глава 2. Улучшение характеристик систем излучения СКИ
2.1. Управление положением главного лепестка импульсной АФАР
2.2. Влияние параметров ТЕМ-рупора на характеристики излучения СКИ
2.3. Компенсация неравномерности энергетической диаграммы направленности ТЕМ-рупора
2.4. Формирование СКИ заданной формы
Выводы
Глава 3. Совместная модель генератора СКИ и антенны
3.1. Генерация сверхкоротких импульсов
3.2. Представление антенны при совместном моделировании с формирователем СКИ
3.3. Оптимизация параметров направленного излучателя
3.4. Оптимизация параметров ненаправленного излучателя
Выводы
Глава 4. Моделирование напряжений и токов, наводимых электромагнитным
излучением на узлы РЭС
4.1. Стойкость МШУ на базе ПТШ к импульсным помехам
4.2. Воздействие электромагнитного излучения СКИ на полосковую линию
4.3. Представление излучающей и приемной антенны
4.4. Воздействие электромагнитного излучения СКИ на ТЕМ-рупор
Выводы
Заключение
Библиографический список использованной литературы

Список используемых сокращений
АФАР - активная фазированная антенная решетка
ВГДЦ - верхняя граница динамического диапазона
ДЗ - дальняя зона
ДН - диаграмма направленности
ДНЗ - диод с накоплением заряда
ИХ - импульсная характеристика
КСВН - коэффициент стоячей волны по напряжению
КУ - коэффициент усиления
МКИ - метод конечного интегрирования
МКРВО - метод конечных разностей во временной области
МШУ - малошумящий усилитель
ПТШ - полевой транзистор с затвором Шоттки
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
РЭС - радиоэлектронное средство
САПР - система автоматизированного проектирования
СВЧ - сверхвысокие частоты
СКИ - сверхкороткий импульс
СКВИ - сверхкороткий видеоимпульс
ЭМИ - электромагнитное излучение
ЭМС - электромагнитная совместимость
FIT - finite integration technique
FDTD - fmite-difference time-domain
SRD - Step Recovery Diode

слой (PML - perfectly matched layer), как обладающий одними из лучших характеристик [34-37].
Использование PML предполагает, что область расчета окружает слой анизотропного поглощающего материала, обладающий рядом свойств: 1) волновое сопротивление на границе раздела «область вычисления -согласованный слой» не изменяется, что достигается выполнением соотношения
2) электрическая и магнитная проводимость возрастает с увеличением расстояния между границей «область вычисления - согласованный слой» и номером ячейки вглубь слоя РМЬ по вполне определенному закону, называемому профилем потерь.
Беренджер (3. Р. Вегегщег) предложил геометрический профиль потерь
где а={х,у,г}, <т0 определяется из условия (12), а g находится из решения уравнения (1.28).
Здесь N - заданная толщина слоя РМЬ, <7 - интервал дискретизации в данном направлении, К - желаемый коэффициент отражения, /тт -минимальная частота (частота отсечки), параметр 0 подбирается эмпирически (обычно 0=10).

(1.25)

[34]:
(1.26)
1 1 /л

(1.27)
2я-£0 Qtp 2тїе q ’

In g
(1.28)

Рекомендуемые диссертации данного раздела