Исследование управляемого поглощения на свободных носителях в полупроводниках в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн

  • Автор:
  • Специальность ВАК РФ: 01.04.03
  • Научная степень: Кандидатская
  • Год защиты: 1983
  • Место защиты: Харьков
  • Количество страниц: 279 c. : ил
  • Стоимость: 250 руб.
Титульный лист Исследование управляемого поглощения на свободных носителях в полупроводниках в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн
Оглавление Исследование управляемого поглощения на свободных носителях в полупроводниках в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн
Содержание Исследование управляемого поглощения на свободных носителях в полупроводниках в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн
Г ОГЛАВЛЕНИЕ I
1. ВЛИЯНИЕ СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКА С УПРАВЛЯЕМОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
НА РАСПРОСТРАНЕНИЕ ПЛОСКОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ
§ І.І. Взаимодействие миллиметровых и субмиллиметровых
волн со свободными носителями зарядов
§ 1.2. Модуляция прошедшей и отраженной волны однородным слоем с управляемой проводимостью
§ 1.3. Некоторые возможности уменьшения коэффициента
отражения
§ 1.4. Дифракция на слое с неоднородной проводимостью
§ 1.5. Модуляция при инжекции из р-п перехода
§ 1.6. Краткие выводы
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ УПРАВЛЯЕМОГО ПОГЛОЩЕНИЯ
В ГЕРМАНИИ
§ 2.1. Поглощение и отражение миллиметровых и субмиллиметровых волн германием
§ 2.2. Конструкция полупроводникового элемента
§ 2.3. Исследование распределения потенциала, концентрации неравновесных носителей заряда и ослабления в активной области модуляторного элемента.. Ю6
§ 2.4. Влияние механических дефектов на поверхности
модуляторного элемента на характеристики модулятора
§ 2.5. Характеристики модулятора при низких температурах
§ 2.6. Краткие выводы
3. МНОГОКОНТАКТВЫЕ СТРУКТУРЫ
§ 3.1. Структура с микродроссельной развязкой
§ 3.2. Слоистая структура
§ 3.3. Структура с решеткой малых контактов в объеме
на основе эпитаксиального кремния
§ 3.4. Мозаизная структура
§ 3.5. Краткие выводы
4. ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ НА НЕОДНОРОДНОЙ КОНЦЕНТРАВДИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ
§ 4.1. Полупроводниковые дифракционные структуры с фотогенерированной электронно-дырочной плазмой
§ 4.2. Распределение избыточной концентрации носителей
заряда в дифракционных элементах
§ 4.3. Экспериментальная установка для исследования
дифракции
§ 4.4. Дифракция электромагнитной врлны на периодически неоднородной фотогенерированной плазме в
германии
§ 4.5. Быстродействие
§ 4.6. Зонные пластинки
§ 4.7. Дифракционные системы с электронно-дырочной
плазмой, создаваемой контактной инжекцией
§ 4.8. Краткие выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЯ
1. Модуляторные диоды
2. Полупроводниковый модулятор для полосковых линий
3. Модулятор фланцевого типа
4. Полупроводниковый модулятор для волноводных трактов малого сечения
Г 9тР*
5. Полупроводниковый модулятор в диэлектрическом волноводе 25!
6. Полупроводниковый модулятор в лучевом волноводе
7. Полупроводниковый волноводный модулятор
8. Волноводный широкополосный стабилизатор мощности
9. Некоторые возможности применения полупроводниковых элементов в системах радиовидения
10. Преобразование поверхностных волн в объемные
11. Управление поглощением в скрещенных электрическом
и магнитном полях
/л£5'/%
Рио. 1.20 Эффективный коэффициент модуляции отраженной волны.

Рекомендуемые диссертации данного раздела