Высокоэффективные лазеры двухмикронного диапазона на основе кристаллов Tm:YLF и Ho:YAG с диодно-лазерной накачкой

  • автор:
  • специальность ВАК РФ: 01.04.21
  • научная степень: Кандидатская
  • год, место защиты: 2010, Нижний Новгород
  • количество страниц: 149 с. : ил.
  • бесплатно скачать автореферат
  • стоимость: 240,00 руб.
  • нашли дешевле: сделаем скидку
  • формат: PDF + TXT (текстовый слой)
pdftxt

действует скидка от количества
2 диссертации по 223 руб.
3, 4 диссертации по 216 руб.
5, 6 диссертаций по 204 руб.
7 и более диссертаций по 192 руб.
Титульный лист Высокоэффективные лазеры двухмикронного диапазона на основе кристаллов Tm:YLF и Ho:YAG с диодно-лазерной накачкой
Оглавление Высокоэффективные лазеры двухмикронного диапазона на основе кристаллов Tm:YLF и Ho:YAG с диодно-лазерной накачкой
Содержание Высокоэффективные лазеры двухмикронного диапазона на основе кристаллов Tm:YLF и Ho:YAG с диодно-лазерной накачкой
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Оглавление
Введение
Глава 1. Исследование оптических и кинетических характеристик кристалла Тт:У1Л Численное моделирование
Тпг.УЬГ лазера с продольной диодной накачкой
1.1 Оптические свойства кристалла ТггкУЬГ
1.2. Механизмы создания инверсии населённости в кристалле ТппУЬР
1.3. Система накачки
1.4. Расчет основной моды резонатора
1.5. Численное моделирование
1.5.1. Описание расчётной модели Тт:УЪГ лазера
1.5.2. Кинетика энергетических состояний ионов Тт3+
1.5.3. Результаты численной оптимизации ТппУГГ
лазера, генерирующего с-поляризованное излучение
1.5.4. Результаты моделирования Тт:УЪР лазера, генерирующего л-поляризованное излучение
1.5.5. Сравнение выходной мощности ТипУИЛ
лазера, генерирующего л- и а-поляризованное излучение
1.7. Выводы
Глава 2. Экспериментальное исследование Тт:УЪГ лазера с продольной аксиально-симметричной диодной
накачкой
2.1. Схема экспериментальной установки Тт:УЪГ лазера
2.2. Исследования Тт:УЫ7 лазера, генерирующего
а-поляризованное излучение
2.2.1. Экспериментальные результаты с элементом
Тт:УЦР длиной 10 мм
2.3.2. Экспериментальные результаты с элементом

ТппУІЛ7 длиной 15 мм
2.2.3. Сравнение результатов экспериментов с элементами ТпкУІЛ7 различной длины и концентрации ионов Тт
2.2.4. Зависимость выходной мощности ТпкУІЛ7 лазера от температуры кристалла
2.2.5. Сравнение выходной мощности ТпкУІЛ7 лазера с различными типами резонатора
2.2.6. Исследования спектра излучения ТпкУІЛ
лазера, генерирующего на о-поляризации
2.3. Исследования ТпкУІЛ7 лазера, генерирующего
л- поляризованное излучение
2.3.1. Зависимость выходной мощности ТпкУІЛ7, генерирующего на л-поляризации
2.3.2. Исследования спектра излучения ТпкУІЛ
лазера, генерирующего на я-поляризации
2.4. Сравнение эффективности генерации л и
о- поляризованного излучения
2.5. Исследование качества пучка генерации
2.6. Возможности перестройки спектра генерации с ИПФ
2.7. Выводы
Глава 3. Исследование оптических характеристик кристалла Ио:УАС. Численное моделирование Но: У АС лазера с
продольной лазерной накачкой
3.1 Оптические свойства кристалла Но:УАС
3.2. Кинетика энергетических состояний ионов Но3+
3.3. Система накачки
3.4. Расчет основной моды резонатора
3.5. Численное моделирование Но:УАС лазера с продольной лазерной накачкой, работающего в непрерывном режиме генерации

3.5.1. Описание расчётной модели Ho:YAG лазера
3.5.2. Кинетика энергетических состояний ионов Но3+
3.5.3. Результаты численной оптимизации Ho:YAG лазера
3.6. Выводы
Глава 4. Экспериментальное исследование Ho:YAG лазера с продольной накачкой излучением Tm:YLF лазера
4.1. Схема экспериментальной установки Ho:YAG лазера
4.2. Экспериментальные исследования Ho:YAG лазера, генерирующего в непрерывном режиме
4.3. Экспериментальные исследования Ho:YAG лазера, генерирующего в импульсно-периодическом режиме
4.4. Исследование спектрального состава выходного излучения Ho:YAG лазера и возможности внутрирезонаторной частотной селекции с помощью ИПФ
4.5. Исследование качества пучка генерации Ho:YAG лазера
4.6. Выводы
Заключение
Список литературы

линии генерации в длинноволновую сторону. Вариация и стабилизация длины волны излучения полупроводниковых лазеров обеспечивалась системой охлаждения, основанной на элементе Пельтье с электронным контролем температуры. Элемент Пельтье - это термоэлектрический преобразователь, принцип действия которого базируется на эффекте Пельтье - возникновении разности температур при протекании электрического тока. Достоинствами элемента Пельтье являются небольшие размеры, отсутствие каких-либо движущихся частей, а также газов и жидкостей. При обращении направления тока возможно как охлаждение, так и нагревание — это даёт возможность термостатирования при температуре окружающей среды как выше, так и ниже температуры термостатирования. Для минимизации температурных скачков использовался пропорционально-интегро-дифференциальный (ПИД) алгоритм, оптимальные параметры которого были найдены экспериментально. Для обеспечения высокой эффективности накачки центр линии генерации диодных лазеров настраивался изменением температуры на максимум поглощения неполяризованного света кристаллом Тт:УЪР, т.е. в область 792 нм (рис. 1.10). Из рисунка видно, что линия генерации диодных лазерных линеек гораздо уже спектра поглощения кристалла ТпоУТЛ7, поэтому для оценки поглощенной энергии можно считать, что энергия излучения линеек поглощается кристаллом без поправки на неоднородность линии поглощения. Количество поглощённой мощности накачки в активном элементе (в отсутствии эффекта насыщения) за один проход можно найти, исходя из (1.4) и (1.5):
№ = /« № х ехр(-КГД), (1.19)
где К" -1,9 см'1 - пиковое значение коэффициента поглощения, I -длина кристалла.
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Рекомендуемые диссертации данного раздела