Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием

  • автор:
  • специальность ВАК РФ: 05.27.01
  • научная степень: Кандидатская
  • год, место защиты: 1999, Ярославль
  • количество страниц: 150 с. : ил.
  • автореферат: нет
  • стоимость: 240,00 руб.
  • нашли дешевле: сделаем скидку
  • формат: PDF + TXT (текстовый слой)
pdftxt

действует скидка от количества
2 диссертации по 223 руб.
3, 4 диссертации по 216 руб.
5, 6 диссертаций по 204 руб.
7 и более диссертаций по 192 руб.
Титульный лист Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием
Оглавление Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием
Содержание Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ФИАНИТА (обзор)
1.1 Свойства фианита и его использование в микроэлектронике и других областях техники
1.2 Методы получения пленок фианита
1.3 Способы стимуляции упорядоченного роста пленок и эпитаксии
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1 Ионно-плазменная напылительная
установка
2.2 Магнетронная напылительная установка
2.3 Оборудование и методика изготовления мишеней
2.4 Оборудование и методика исследования структуры
2.5 Оборудование и методика исследования химического
состава пленок
2.6 Методики измерения толщины пленок
2.7 Стенд и методика измерения токов утечки и пробойного напряжения

2.8 Методика измерения параметров плазмы
3. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ
3.1 Технология получения пленок фианита
3.2 Влияние содержания У203 в мишени на структуру и свойства пленок фианита
3.3 Влияние технологических параметров на структуру поликристаллических пленок фианита
3.4 Метод получения высокотекстурированных пленок
фианита
3.5 Исследование влияния параллельного подложке ВЧ поля
на рост пленок фианита
3.6 Исследование электрофизических свойств пленок
фианита
4. МОДЕЛЬ РОСТА ПЛЕНОК ФИАНИТА В УСЛОВИЯХ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ СТИМУЛЯЦИИ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ
В последние годы наметился значительный интерес к проблеме низкотемпературной эпитаксии. Современное состояние в данной области исследований характеризуется большим количеством работ, в которых используется дополнительная стимуляция как самой поверхности подложки с растущей пленкой, так и падающего потока наносимого вещества. При этом используются различные виды воздействий. К ним относятся электромагнитные (радиоволны, свет, рентгеновское излучение) и корпускулярные (электроны, нейтроны, ионы и т.д.) воздействия, воздействие электрических и магнитных полей и т.д. При этом установлено наличие эффекта изменения структуры растущих пленок при этих воздействиях. Интерес к таким исследованиям обусловлен как перспективами применения данного эффекта в микроэлектронной технологии для снижения температуры эпитаксиального роста пленок, так и для выяснения фундаментальных механизмов роста пленок. Как известно, процессы упорядоченного роста при низких температурах в обычных условиях подавлены из-за малой подвижности адатомов и наличия диффузионных барьеров для межслойного транспорта возле моноатомных ступеней. Стимуляция ориентированного роста пленок путем ионной бомбардировки является весьма перспективной по ряду параметров (низкая стоимость технологии, высокая локализация воздействия в приповерхностном слое, широкие пределы варьирования энергии и направления воздействия). В ряде работ показана возможность стимуляции двухосевого упорядочения (формирование ограниченной текстуры) при напылении фианита - диоксида циркония, стабилизированного иттрием (yttria stabilized zirconia, YSZ), на кремний, стекло и поликристаллические подложки с использованием бомбардировки

наклона варьировался от 0 до 75°. Авторы утверждают, что на полюсных фигурах пленки без текстуры должны иметь равномерное распределение интенсивности Брегговского рефлекса в зависимости от углов вращения и наклона, пленки с аксиальной текстурой - центральное пятно и кольцо при угле наклона, соответствующем углу между эквивалентными плоскостями, а монокристаллические пленки должны давать пятна. Пленки с ограниченной (двухосевой) текстурой будут давать кольцо с модулированной по периметру кольца интенсивностью, стремясь при увеличении степени ориентации к образованию пятен. Данные полюсных фигур были так же представлены в “спиральном” виде. В этом случае интенсивность фиксируется при одновременном изменении и угла вращения и угла наклона. Эти данные содержат детали не читаемые на полюсных фигурах.
Полюсные фигуры пленок, полученных без ионной бомбардировки на охлаждаемую подложку, свидетельствуют об аксиальной текстуре с плоскостью (110) параллельной поверхности подложки. Угол между центральным пятном и кольцом равен 60° - это минимальный угол между плоскостями совокупности {110}. Такая текстура характерна для Ьсс металлических пленок на аморфных подложках.
Пленки напыленные с ионной бомбардировкой с отношением ион/атом - 0.7 обладают уже ограниченной аксиальной текстурой. Об этом свидетельствует наличие осцилляций при 60° на “спиральном” графике. Высота пиков увеличивается при увеличении отношения ион/атом. Просвечивающая электронная микроскопия подтверждает, что пленки имеют ограниченную текстуру. При перпендикулярном поверхности падении электронного пучка на электронограмме кольцо (310) имеет слабую интенсивность, кольца (110), (200) и (211) имеют неодинаковую по
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Рекомендуемые диссертации данного раздела