Фазовые равновесия и области гомогенности слоистых соединений в системах Ge-As, Ga-Se и Ga-S

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1.	Литературный обзор

11.	Система Ое-Ав и диарсенид германия

1.1.1.	Система Ое-Аэ

1.1.2	Область гомогенности СеАзг по

результатам электрофизических измерений

1.1.3.	Структура диарсенида германия

1.2.	Система Оа-Бе

1.2.1.	Промежуточные соединения и фазовые равновесия

в системе Са-Ле

1.2.2.	Моноселенид галлия: его структура

и некоторые свойства

1.3.	Система Оа-Л

1.3.1.	Промежуточные соединения и фазовые равновесия

в системе Са-Б

1.3.2.	Моносульфид галлия и его некоторые свойства

Глава 2. Методика эксперимента

2.1.	Стандартный вариант использования

нуль-манометрического метода

2.1.1	Манометрическая установка и

особенности проведения эксперимента



2.1.2.	Усовершенствования, внесенные в схему эксперимента

2.1.3.	Постановка эксперимента, получение

и представление результатов

2.2.	Нуль-манометрический метод исследования фазовых диаграмм малолетучих бинарных фаз

при помощи третьего компонента

2.2.1.	Общие положения разработанного метода



Глава

Глав

2.2.2	Возможность использования иодидов

галлия в исследованиях фазовых диаграмм монохалькогенидов галлия

2.2.3.	Постановка эксперимента, получение

и представление результатов

2.3	Использование нуль-манометрического метода

для сканирования областей гомогенности бинарных фаз по растворимости газов в расплавах

2.4.	Оценка погрешностей в используемых методах

2.5.	Характеристики используемых веществ

и синтез исследуемых фаз

3.	Фазовые равновесия в системе Се-Аэ и область

гомогенности диарсенида германия

3.1.	Построение Р-Т проекции области

гомогенности диарсенида германия

3.2.	Построение Т-Х проекции области гомогенности

диарсенида германия

3.3.	Определение точки конгруэнтного плавления ОеАБг

3.4.	Особенности области гомогенности ОеАз2

4.	Фазовые равновесия в системе Оа-Бе и Оа-8. Области

гомогенности моноселенида и моносульфида галлия

4.1.	Фазовая диаграмма и область гомогенности

моноселенида галлия

4.1.1.	Фазовые равновесия в системе Оа - Бе по результатам

нуль-манометрического метода с третьим компонентом

4.1.1.1. Равновесия при гетерогенном характере конденсированной части системы

4.1.1.2. Область гомогенности ваБе

4.1.2.	Границы области гомогенности СаБе по результатам

растворимости газов в расплавах

4.1.3.	Температурная зависимость парциального давления

паров галлия при различных характерах равновесий



4.1.3.1	Равновесие сплавов Са1-х8ех с паром при использовании хлора в качестве вспомогательного компонента

4.1.3.2. Температурная зависимость парциального давления паров галлия: сравнение результатов при использовании хлора и иода как вспомогательных компонентов

4.2.	Управляемый синтез селенидов галлия

заданного состава

4.3.	Фазовые равновесия в системе Оа - Б

4.3.1.	Данные по Т-Х проекции

4.3.2.	Р-Т проекция фазовой диаграммы системы С а-Б

Глава 5.	Обсуждение результатов

5.1.	Дефектообразование в кристалле

моноселенида галлия

5.2.	Сопоставление результатов косвенного и прямого

исследования области гомогенности СеА82

5.3.	Интеркалация как образование дефектов

межслоевого внедрения

5.4.	Место рассматриваемых соединений среди

слоистых фаз

Выводы

Список литературы

Приложение

Приложение №1

Приложение №2



Г лава 2.	Методика эксперимента

В настоящее время в литературе описано большое количество разнообразных методов исследования фазовых равновесий [47-53]. Однако применение того или иного метода обуславливается как самим выбранным объектом исследования, так и условиями эксперимента. Основной и самой сложной задачей в подобных исследованиях, как с практической, так и с теоретической точек зрения, является выявление зависимости состава многокомпонентной системы от термодинамических параметров (давление, температура). Для решения этой задачи большое распространение получили косвенные методы исследования [47-52], основанные на изучении структурно чувствительных свойств материалов (удельная электропроводность, концентрации носителей тока, прецизионные измерения плотности и параметров кристаллической решетки) от параметров состояния системы. Однако далеко не всегда оказывается возможным получить информацию о дефектности, и, следовательно, о составе вещества исходя из косвенных данных. Так, например, нельзя делать выводы об области гомогенности полупроводника из электрофизических измерений в области его собственной проводимости. Кроме того, даже полученные зависимости часто нельзя считать однозначно интерпретируемыми, поскольку задается физико-химическая модель, базирующаяся на определенной теории растворов и структурных дефектов [47-52]. С этой точки зрения преимущество прямых методов определения составов фаз оказывается неоспоримым, хотя точность таких методов существенно ниже, чем у наиболее широкоизвестных косвенных. В последнее время появился ряд работ, в которых благодаря особой тщательности проведения эксперимента и созданию особочувствительных манометров точность