Нелинейность совместного воздействия оксидов свинца, сурьмы и висмута на процесс термического окисления арсенида галлия

СОДЕРЖАНИЕ



ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (ОБЗОР СОСТОЯНИЯ ПРОБЛЕМЫ)

1.1 Термическое окисление СаАя в чистых условиях

1.2. Воздействие дополнительных компонентов на кинетику и механизм процессов окисления арсенида галлия

1.3. Процессы хемостимулированного окисления арсенида галлия

1.4	Совместное воздействие соединений-активаторов с позиции



химического сопряжения ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ОКСИДНЫХ СЛОЕВ НА СаАя ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ

ПРИСУТСТВИИ РЬО, 8Ь2Оз И В1203

2.1. Характеристика материалов

2.2. Методика термооксидирования ваАя

2.3 Методика обработки результатов

2.3.1 Формально-кинетическая обработка результатов

2.3.2 Относительные парциальные и интегральные толщины

2.4 Эталонное окисление

2.5 Инструментальные методы исследования

ГЛАВА 3. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ СаАя ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ БИНАРНЫХ СМЕСЕЙ ОКСИДОВ СВИНЦА

СУРЬМЫ И ВИСМУТА

ГЛАВА 4. СОВМЕСТНОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ ТРЕХ ОКСИДОВ-

АКТИВАТОРОВ НА ПРОЦЕСС ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ ваАя (системы 8Ь203 - (В1203)о,8(РЬО)о,2; В1203

(8Ь203)0,2(РЬО)о,8)



ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ СОВМЕСТНОГО АКТИВИРУЮЩЕГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ОКСИДОВ СВИНЦА, СУРЬМЫ И ВИСМУТА НА ПРОЦЕСС ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ваАв

ВЫВОДЫ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ПРИЛОЖЕНИЕ



ВВЕДЕНИЕ

Современные достижения физикохимии и техники полупроводников связаны, прежде всего, с двумя семействами полупроводников А1У и АШВУ. В настоящее время лидирующие позиции занимает дешёвый и технологичный кремний. Однако стремление к повышению быстродействия приборов, решение других задач полупроводниковой техники, стимулирует поиск и освоение иных материалов. Наибольший интерес проявляется к арсениду галлия, имеющему подвижность электронов в 4-5 раз выше, чем у кремния, и большую ширину запрещённой зоны, что может обеспечить повышенную радиационную устойчивость полупроводниковых устройств при одновременном повышении их быстродействия. При производстве планарных и МОП-приборов на основе ар-сенида галлия одной из наиболее важных заедач является создание на поверхности полупроводника высококачественных диэлектрических плёнок.

“Чистое“ термическое окисление арсенида галлия в сухом и влажном кислороде не решает основной задачи, поскольку скоростие роста диэлектрических плёнок малы, а их высокая пористость и неоднородность, а также низкая диэлектрическая прочность оксидных слоев делают их мало пригодными для использования в качестве пассивирующих и изолирующих покрытий.

Одним из методов увеличения скорости роста оксидных слоев и улучшения их свойств является химическое стимулирование термического окисления арсенида галлия. Оно заключается во введении в окислительную атмосферу определенных, специальным образом подобранных соединений-активаторов, которые, радикально меняя кинетику и механизм процесса, приводят не только к ускорению процесса роста пленки, но и к улучшению диэлектрических свойств получаемых слоев. Для этой цели применяют различные соединения. Взаимодействия, имеющие место при этом, представляют собой многостадийные последовательно-параллельные процессы, протекающие в открытых гетерогенных системах, находящихся в сильно неравновесном состоянии, осложненные



/ я. Ж+? - /~870



. I С т.р.+?

Мол %



Рис.З Диаграмма состояния системы Вц03