Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs

  • Автор:
  • Специальность ВАК РФ: 01.04.10
  • Научная степень: Кандидатская
  • Год защиты: 1999
  • Место защиты: Ульяновск
  • Количество страниц: 150 с.
  • Стоимость: 230 руб.
Титульный лист Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
Оглавление Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
Содержание Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
Введение Глава
1.2.2.1.
1.2.2.2.
1.4. Глава 2.
Влияние электрического поля на вероятность безызлучательных и оптических переходов с участием глубоких центров в СаАэ.
Основные электрофизические свойства ваАв. Дефекты в ваАз.
Примеси
Собственные дефекты Ловушка ЕЬ2.
Комплексы Уоа-О
Электронно-колебательные переходы в полупроводниках в присутствии электрического
ПОЛЯ.
Однокоординатная модель.
Модели, описывающие электронноколебательные переходы с глубоких примесных центров в сильных электрических полях.
Выводы.
Расчет полевых зависимостей скоростей эмиссии носителей с глубоких примесных центров, опирающийся на экспериментальную форм-функцию оптического перехода.
Алгоритм расчета полевых зависимостей скорости эмиссии с глубоких центров. Квантово-механический расчет вероятности безызлучательного перехода с локализованных состояний глубоких центров.
Экспериментальное определение форм-функции оптического перехода по спектрам фотолюминесценции.
Образцы для исследования.
Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев ваАя.
Расчет форм-функции излучения для комплекса Ува^Аз в ваАв из экспериментальной полосы люминесценции.
Создание и исследование барьеров Шоттки №-СаАБ.
Создание на исследуемых пластинах СаАв^ поверхностно - барьерных контактов металл-полупроводник.
Исследование контактов №:ОаА8.
Измерение полевой зависимости скорости
2.7. Глава 3.
3.5. Глава 4.
эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса УоаКд, вСаАв.
Расчет полевой зависимости скорости эмиссии дырок С глубокого уровня комплекса УсаЗдз В ваАБ и сопоставление его с экспериментальными данными.
Выводы.
Расчет вероятности безызлучательных электронных переходов в однокоординатном приближении.
Расчет моментов форм-функций оптических переходов и анализ характеристик электронных переходов.
Расчет первых моментов полос излучения комплексов УСа8А5 и Уоа$Поа-Анализ моментов полос излучения комплексов Уоа^Ав и Ува^ПоаОпределение параметров электрон-фононного взаимодействия. Построение конфигурационнокоординатных диаграмм.
Расчет полевых зависимостей скоростей термической эмиссии на основании моделей однокоординатного приближения.
Анализ применимости однокоординатной модели к описанию полевой зависимости скорости эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса У0аЗА8 в ваАБ.
Выводы.
Расчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях.
Расчет вероятности фотоионизации глубоких центров в сильных электрических полях. Измерение сечений фотоионизации электронов на глубоком центре комплекса Уцз-Заз 8 ОаАз.
Расчет форм-функции полосы оптического
поглощения комплекса Уца-^^-Расчет форм-функции полосы поглощения
комплекса Ува-^Аз из экспериментальных спектров сечения фотопроводимости.
Расчет форм-функции полосы поглощения
комплекса Уса“^Аз из форм функции полосы его излучения.
Сравнение форм-функций полосы поглощения комплекса Уоа-$А8> полученных разными методами при различных полях.
Расчет полевой зависимости сечения
фотоионизации глубокого центра УСа-8Аз в ваАв, на основании форм-функции полосы оптического поглощения
4.5. Расчет полевой зависимости вероятности
фотоионизации глубокого центра Уоа-8А5 в ОаАв,
в однокоордикатном приближении
4.6. Выводы
Глава 5. Анализ механизмов переноса тока,
определяющих характер обратных
вольтамперных характеристик
полупроводниковых приборов на основе СаАв
5.1. Описание образцов. Измерение вольтамперных
характеристик
5.2. Расчет электрического поля в варикапе.
Обсуждение характера полевых зависимостей обратного тока
5.3. Расчет параметров модели стимулированного
фононам туннелирования
5.4. Выводы
Основные выводы
Список использованной литературы
После этого пластины прошли три этапа технологической подготовки к осаждению металла [120]:
1. Обработка в парах трихлорэтилена, травление в смеси 5 //,, Р04 : 1 ИР : 1 /7Л'03 в течение 10 с. при комнатной температуре, промывка в холодном буферном травителе: 70 мл. 49% № , 150 г. ИНЛР и 250 мл. деионизованной воды.
2. Обезжиривание в смеси толуола и метилового спирта (1:2), обработка в травителе ЪН2804 :Н101'ЛНг0 в течение 5-10 с. при температуре 40-50 С, промывка в этиловом спирте.
3.Обезжиривание в смеси толуола и метилового спирта (1:2), обработка в бромистом метаноле {Вг2- СНгОН) в течение 5-10 при температуре 40-50 С с., промывка в этиловом спирте.
Далее поверхность пластин, за исключением площадки полупроводника размером 1.5x1.5 мм, была покрыта химически стойким лаком и просушена.
Перед электролизом процесс травления повторялся. Затем пластины были опущены в емкость с электролитом. В качестве электролита был выбран раствор МСЬ в деионизованной воде в концентрации 300 г/литр. Для снятия возможной окисной пленки в раствор было добавлено немного НгЗСД концентрации 20-30 г/литр. Процесс электролиза проводился при 50 С в течении 1-М минут, при токе 20 мА/см2.
Описанным способом было изготовлено 10 образцов.
2.4.2. Исследование контактов ЭД-СаДь.
Для проверки качества полученных барьеров были измерены прямые и обратные вольтамперные характеристики (ВАХ). Для этого была собрана схема, изображенная на рис.2.10.

Рекомендуемые диссертации данного раздела