Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок

  • автор:
  • специальность ВАК РФ: 01.04.10
  • научная степень: Докторская
  • год, место защиты: 1997, Новосибирск
  • количество страниц: 395 с. : ил.
  • бесплатно скачать автореферат
  • стоимость: 240,00 руб.
  • нашли дешевле: сделаем скидку
  • формат: PDF + TXT (текстовый слой)
pdftxt

действует скидка от количества
2 диссертации по 223 руб.
3, 4 диссертации по 216 руб.
5, 6 диссертаций по 204 руб.
7 и более диссертаций по 192 руб.
Титульный лист Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок
Оглавление Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок
Содержание Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления
Общая характеристика работы
1 Специальные керамические материалы с перовскитовыми и шпинелевыми структурами. Теория и практика их модифицирования. (Аналитический обзор)
1.1 Общая характеристика перовскитовых и шпинелевых структур и керамических материалов на их основе
1.2 Высокочастотная конденсаторная керамика
1.2.1 Электрофизические свойства конденсаторных диэлектриков. Факторы, определяющие их значение и стабильность
1.2.2 Основные направления в керамическом конденсаторо-строении и пути их решения
1.2.3 Стабилизация титаносодержащей керамики малыми добавками
1.2.4 Образование твердых растворов титанатов-цирконатов
1.2.5 Технологические особенности изготовления конденсаторной керамики
1.3 Пьезокерамика системы ЦТС (РЬТЮ% — PЪZrO{). Пути изменения ее свойств
1.3.1 Классификация добавок-модификаторов, применяемых в сегнетоэлектриках
1.3.2 Влияние добавок на свойства керамики системы ЦТС
1.3.3 Структура пьезокерамики ЦТС и ее механическая прочность
1.3.4 Особенности технологии получения пьезокерамики системы ЦТС
1.3.5 Развитие представлений о влиянии микродобавок в сег-нетокерамике
1.3.6 Старение пьезо- и конденсаторной керамики
1.4 Мпп-ферриты со структурой шпинели
1.4.1 Диаграммы состояний. Окислительно-восстановительные процессы
1.4.2 Микроструктура и свойства ферритов
1.4.3 Технологические аспекты получения ферритов
1.5 Получение объемных ВТСП изделий. Технологические пути управления их свойствами
1.5.1 Кислородная нестехиометрия соединения УВаСщО!—х и ее связь с технологией
1.5.2 Методы синтеза ВТСП керамики
1.5.3 Пути повышения свойств ВТСП керамики
1.6 Объекты и методы исследования
1.7 Выводы и постановка задачи работы
1.7.1 Выводы
1.7.2 Задачи работы
2 Управление процессами фазообразования, спекания и свойствами твердых растворов системы SrO — ZrO — TiOi малыми добавками. Процессы старения керамики ТСМ
2.1 Постановка задачи
2.2 Выбор системы оксидов для высокотемпературных конденсаторов повышенной емкости и надежности
2.3 Стабилизация титанитов и титанатосодержащей керамики
к воздействию восстановительной среды
2.3.1 Структурные исследования
2.3.2 Стабилизация керамики ТСМ
2.4 Влияние исходного состояния компонентов -ТЮ2 и ZrO2 на фазообразование, спекание титанатов-цирконатов стронция
2.4.1 Оценка активности компонентов ТЮч и ZrOi
2.4.2 Влияние активности TiOi и ZrO 2.5 Влияние добавок на синтез, спекание и свойства конденсаторных керамических материалов
2.5.1 Влияние добавок на синтез и спекание SrTЮз и SrZrO3
2.5.2 Влияние добавок на синтез, спекание и свойства конденсаторных материалов
2.6 Технология металлизации и пайки конденсаторной керамики
2.6.1 Физико химические процессы, происходящие при металлизации и пайке керамики ТСМ
2.6.2 Технологии металлизации и пайки
2.7 Старение конденсаторов керамики ТСМ при наложении электрических и температурных полей
2.8 Реализация результатов исследований - получение конденсаторной керамики ТСМ и конденсаторов на ее основе (составы, технологии, свойства и параметры)
2.8.1 Составы, свойства керамики ТСМ и технологии изготовления изделий
2.8.2 Получение высокотемпературных конденсаторов на основе керамики ТСМ
2.9 Выводы
3 Регулирование микроструктуры и свойств пьезокерамики системы ЦТС методом введения добавок из водных растворов солей. Процессы старения
3.1 Разработка технологического процесса модифицирования пьезокерамики ЦТС
3.1.1 Физико-химические процессы, происходящие при взаимодействии пористых керамических изделий с водными растворами солей
3.1.2 Взаимодействие керамики ЦТБС-3 с водными растворами кислот, щелочей и солей
3.1.3 Технологические параметры и режимы обработки
3.1.4 Влияние модифицирования на спекание, микроструктуру и свойства пьезокерамики
3.1.5 Заключение
3.2 Старение пьезокерамики системы ЦТС при воздействии механического напряжения сжатиями электрического поля
3.2.1 Объекты исследования и методика эксперимента
3.2.2 Влияние одноосного механического нагружения на свойства пьезокерамики
3.2.3 Старение пьезокерамики под действием внешнего электрического поля, (режимы воздействия электрических полей приведены в Приложении 3.1)

иона-модификатора в решетке, должны быть их размер и электроотрицательность (ЭО), степень ковалентности связи М — О, поляризационные свойства, строение электронных оболочек.
С учетом геометрических параметров образования перовскитов по Фе-сенко и Филипьеву (ДЦ.0.90А; 0.51 А,Яв, 1.10 А, Яд> Яв, где ДЦ-радиус иона в кубооктаэдрическом положении с координационным числом (к.ч.) 12; Де-радиус иона в октаэдрическом положении с к.ч. 6), катионы добавок в решетке твердого раствора цирконата и титаната свинца можно распределить на две группы:
• ионы, занимающие положение А, — РЬ2+, £>г3+, Са2+, Ва2+, 5г2+, Сй2+']
• ионы, занимающие положение В, — Ът4+, Тл4+, М2+, 1л+, №2+, Сг3+, Г7Ь5+, У6+.
В структуре перовскита АВОз ионы РЬ2+ занимают кубооктаэдрические положения (А) и имеют электроотрицательность 175 ккал/г-ат, а ионы и Тл4+ имеют ЭО соответственно 195 и 250 ккал/г-ат (среднее значение - 220 ккал/г-ат) и занимают октаэдрические положения (В). Поэтому в первом приближении по второму критерию (ЭО и ее производной
- степени ковалентности связи М — О) положение А могут занять ионы с ЭО <175 ккал/г-ат, а положение В - ионы с ЭО> 220ккал/г-ат. В состав первой группы должны входить в порядке возрастания величины ЭО
- Ва2+, Эг24", 1л+, Са2+, 1УД2+, В13+, С<12+; во вторую группу - ГД2+, ]МЬ5+, Уч6+, Сг3+.
Сравнение геометрических и энергетических (ЭО) критериев распределения ионов в подрешетках А и В обнаруживает ряд противоречий. Например, ион М2+ по величине ионного радиуса должен занять положение В, а по величине ЭО — положение А. Двойственное поведение иона М2+ отмечается для ряда структур и свидетельствует о статистическом распределении ионов М2+ в структуре ЦТС по положениям А к В. Подобное можно допустить для ионов №2+.
Щелочные ионы, занимая положение А, вызывают возникновение вакансий в подрешетке кислорода.
Ион хрома (Сг3+ ) занимает особое положение среди добавок. Согласно критериям (Ы иона и ЭО) Сг3+ точно соответствует положению В. Однако структура электронной оболочки Сг3+ (Зс!1) имеет большую стабильность кислородных соединений хрома в тетраэдрической координации (’’Щв” гибридизация), в то время как для ионов ТГ4+ и Ъх4+ характерно устойчивое октаэдрическое окружение ионами (сЩр3 гибридизация).

Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Рекомендуемые диссертации данного раздела