Переключение тонких пленок NbN и YBaCuO импульсами тока и лазерного излучения

  • автор:
  • специальность ВАК РФ: 01.04.03
  • научная степень: Кандидатская
  • год, место защиты: 1999, Москва
  • количество страниц: 160 с. : ил.
  • автореферат: нет
  • стоимость: 240,00 руб.
  • нашли дешевле: сделаем скидку
  • формат: PDF + TXT (текстовый слой)
pdftxt

действует скидка от количества
2 диссертации по 223 руб.
3, 4 диссертации по 216 руб.
5, 6 диссертаций по 204 руб.
7 и более диссертаций по 192 руб.
Титульный лист Переключение тонких пленок NbN и YBaCuO импульсами тока и лазерного излучения
Оглавление Переключение тонких пленок NbN и YBaCuO импульсами тока и лазерного излучения
Содержание Переключение тонких пленок NbN и YBaCuO импульсами тока и лазерного излучения
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления
Глава 1. Механизмы 8-1Ч-переключения сверхпроводниковых пленок. Обзор литературы
1.1. Управление состоянием сверхпроводника и механизмы отклика пленок на управляющее воздействие
1.2. Токовое переключение сверхпроводящих пленок
1.3. Оптическое переключение сверхпроводящих пленок
1.4. Болометрический эффект и эффект однородного электронного разогрева
1.4.1. Болометрический эффект
1.4.2. Эффект электронного разогрева
1.4.3. Соотношение болометрического эффекта и эффекта электронного разогрева. Сходство и различие эффектов
1.5. Принципы работы приборов, основанных на электронно-разогревном эффекте (НЕВ)
1.5.1. Применение тепловой модели для описания НЕВ
1.5.2. Основные уравнения двухтемпературной модели
1.5.3. Импеданс НЕВ
1.6. Механизмы возникновения неоднородного резистивного состояния сверхпроводящих пленок
1.6.1. Резистивные домены и горячие пятна
1.6.2. Центры проскальзывания фазы
1.6.3. Движение магнитных вихрей
1.6.4. Резистивность сильно неоднородных (гранулированных) пленок
1.7. Выбор объекта исследования и постановка задачи
Глава 2. Методика экспериментальных исследований
2.1. Исследуемые образцы
2.1.1. Образцы ТЧЬИ
2.1.2. Пленки ВТСП
2.1.3. Определение характеристик и отбор образцов
2.2. Методика изучения Э-М-переключения пленок МЪК импульсами тока
2.3. Методика исследования процесса 1Ч-8-перехода пленок по окончании импульсного воздействия
2.4. Методика исследования процессов 8-]М-переключения пленок МЬХ под действием импульсов лазерного излучения
2.5. Выводы
Глава 3. 8-]-переход в тонких пленках при импульсном токовом и оптическом воздействиях
3.1. Состояние пленок в зависимости от положения рабочей точки на ВАХ
3.2. 8-Г4-переключение пленок №>М импульсами тока
3.2.1. Результаты экспериментального исследования переключения пленок Мт1Ч импульсами тока
3.2.2. Времена переключения и процессы, происходящие в пленках ТПУ1Ч при импульсном токовом воздействии
3.2.3. Возможности сокращения времени Б-К-переключения
3.3. Оптическое переключение пленок №>1Ч
3.3.1. Электронно-разогревная модель воздействия на сверхпроводниковую пленку импульсного оптического излучения
3.3.2. Результаты экспериментального исследования совместного действия на пленки МэИ импульсов тока и лазерного излучения
3.3.3. Применение тепловой модели и модели электронного разогрева для сравнения процессов токового и оптического переключения

3.4. Перспективы применения НЕВ-переключателей с оптическим
управлением
3.6. Выводы
Глава 4. Субнаносекундное Б - N и N - Б переключение пленок УВаСиО под действием импульсов тока
4.1. Результаты экспериментального исследования 8-№ и N-8 перехода в тонких пленках УВаСиО под действием импульсов тока
4.2. Описание процессов токового переключения пленок УВаСиО в рамках двухтемпературной модели. Роль электронного разогрева
4.3. Возможность проявления нетепловых механизмов переключения пленок УВаСиО
4.4. Роль процессов теплопереноса в кинетике сопротивления пленок УВаСиО
4.5. Ожидаемый режим работы НЕВ-переключателя на основе пленок УЬаСиО
4.6. Выводы
Заключение
Литература

1). При xcs << Хрр-с- Xc-pu <Tpi,_c реализуется режим чистого электронного разогрева, время отклика соответствует тс_Р|,
2). При xcs >> Xpl,-e , тс-р|, > Tph-c отклик является чисто
болометрическим, время релаксации сопротивления соответствует се + Ср/,
т<?.г г

3). При tcs » тс.р|„ Xc-ph < iph-c отклик соответствует двухтемпературной модели, в нем проявляются все три характерных времени.
Переход от болометрического режима к электронно-разогревному происходит плавно с уменьшением отношения тс8/тр[,_с. В работах [85,86] роль толщины пленки исследовалась специально и было показано на примере Nb, что для НТСП с уменьшением толщины происходит плавный переход от болометрической ситуации к электронному разогреву, когда при воздействии излучения происходит увеличение только температуры электронов. При рабочих температурах до 10 К толщина пленки Nb d~10 нм является достаточно малой, чтобы фононы уходили в подложку, не успевая передать энергию электронам. Время релаксации электронной функции распределения, которая часто может быть описана эффективной температурой ©>Т, определяется при ЭТОМ временем электрон-фононного взаимодействия Xc-ph
Для NbN даже в самой тонкой однородной пленке, которую можно изготовить сверхпроводящей в настоящее время (d~3 нм), при Т ~ 4 К xcs ~ Да-с- Для тонкой NbN пленки при низких температурах (Т~4 К), х® * хе„р|, + (Cph/cc)xcs. Для более высоких температур (> 5 К), когда cph > се, релаксация температуры определяется тремя постоянными времени, ЯВЛЯЮЩИМИСЯ функциями Te_ph, Xpi,_e, Xcs [36].
Сходство болометрического и электронно-разогревного механизмов состоит в том, что отклик в обоих случаях пропорционален мощности воздействия и определяется температурной крутизной сопротивления; отклик неселективен по частоте воздействия. При этих эффектах изменение функции распределения квазичастиц под действием излучения приводит к изменению макроскопического параметра (сопротивления, кинетической индуктивности
Вы всегда можете написать нам и мы предоставим оригиналы страниц диссертации для ознакомления

Рекомендуемые диссертации данного раздела