Синтетические и природные флюидные включения как основа моделирования режима летучих при петрогенезе

  • Автор:
  • Специальность ВАК РФ: 25.00.04, 25.00.09
  • Научная степень: Докторская
  • Год защиты: 2001
  • Место защиты: Москва
  • Количество страниц: 274 с. : ил
  • Стоимость: 230 руб.
Титульный лист Синтетические и природные флюидные включения как основа моделирования режима летучих при петрогенезе
Оглавление Синтетические и природные флюидные включения как основа моделирования режима летучих при петрогенезе
Содержание Синтетические и природные флюидные включения как основа моделирования режима летучих при петрогенезе
Глава 1. Раздел I. Исследование механизма образования синтетических флюидных включений при залечивании трещин. Обоснование выбора кварца как матрицы для синтеза флюидных включений. Залечивание трещин в кварце и образование флюидных включений Раздел 2. Раздел. Раздел 4. Глава 2. Раздел 1. Раздел 2. Методика эксперимента
2. Глава 3. Раздел 1. Методика эксперимента. Исходные материалы. Раздел 2. Раздел 3. Глава 4. Изучение физикохимических свойств водносолевых систем методом синтетических флюидных включений в кварце. Раздел 1. Диаграммы состояния бинарных систем. Общие положения. Раздел 2. Система НКС1. Раздел 3. Топология диаграммы состояния системы 8
Некоторым недостатком метода химического декорирования является то, что при его использовании происходит разгерметизация полостей флюидных включений по каналам травления, которая приводит к потере первоначального содержимого и заполнению их травящими растворами. Поэтому, если при промывке и последующей сушке из вакуолей удалены остатки травящих растворов, полости включений выглядят несколько размытыми темными пятнами рис.


С другой стороны, при низкой степени дислоцированности, эта пороговость обусловлена тем, что ступень растворения, образованная дислокацией, выходящей в стенку трещины, может перемещаться только если длина дислокации не меньше диаметра критического зародыша. Если кристалл сильно дислоцирован, то можно, как эго показано Кружановым , считать дислокации равномерно распределенными по поверхности. Гегузин и Кривоглаз доказали, что ступени роста на растущей части трещины образуются выходами винтовых дислокаций. Таким образом, ростовые ступени могут перемещаться, если только расстояние между дислокациями не меньше диаметра критического зародыша. Методы визуализации дислокационного строения кристалла имеют различные возможности и могут применяться для решения конкретных задач в зависимости от размера включений и особенностей дислокационной структуры исследуемого объекта. Из полостей первичных флюидных включений всегда выходят дислокации. Чем крупнее включение, тем с большим количеством дислокаций оно связано. Процессы наложенной пластической деформации проявляются в искривлении дислокаций и образовании дислокационных петель вокруг включения. Плотность дислокаций растет вблизи флюидных включений по сравнению со средней величиной количества этих дефектов в кристалле. Дислокации могут соединять полость флюидного включения с поверхностью кристалла или блока. При залечивании трещин плотность дислокаций в кристалле увеличивается. В свою очередь, исходная плотность дислокаций сказывается на ходе и скорости залечивания. В общем случае сильно дислоцированный кристалл залечится быстрее.

Рекомендуемые диссертации данного раздела