Квантовые точки селенида кадмия, легированного медью

Изза симметрии задачи функции Ф являются простыми атомоподобными орбиталями с квантовыми числами п 1,2,3. Кя. Д., т. Мы рассмотрели частицы в пустой сфере с постоянным потенциалом. Для перехода к нанокристаллам полупроводников следует использовать ряд приближений. Первым является приближение эффективных масс для объемного кристалла полупроводника 4. В приближении эффективных масс зависимость Ек является параболической вблизи к 0 рис. Рис. Зависимость Ек в параболическом приближении вблизи к0 1. Гг,я 1. Слигыкг 1. Здесь Спк нормировочные коэффициенты, введенные, чтобы сумма удовлетворяла условию сферичности нанокристалла. Р м0г Г г ехрА г ип0 гр г 1. Здесь р является фактически функцией стоячей волны, а иг можно определить как линейную сумму атомных орбиталей. Проблема свелась к нахождению функцийдля каждой частицы, и она уже решена выше для случая бесконечной по тенциальной ямы. Между электроном и дыркой присутствует кулоиовское взаимодействие, приводящее к образованию состояний связанных электрона и дырки экситона. В случае малого нанокрнсталла режим строгого ограничения кулоновские силы являются второстепенными член с 1а2 вносит больший вклад, чем 1а. М.е,1. Здесь Ес линейная поправка на кулоиовское взаимодействие, которое для объемного СбБе невелико порядка мэВ. Общее обозначение состояний экситона Пь1ьП1с, например, наинизшес по энергии состояние, называемое также краевым экситоном, не. В случае, когда электрон находится в состоянии с, кулоновская поправка записывается как 1. Более простой вид для выражения 1. Е Е8 ьУвр2 1. Зависимость энергии первого перехода Е п1 от размера нанокристалла а приведена на рис. Рис. Эта зависимость может использоваться для оценки размеров квантовых точек по их оптическим спектрам поглощения и люминесценции, из которых легко определить энергию низшего ьс перехода в КТ. Следует отметить, что для точного определения средних размеров КТ по спектрам поглощения и люминесценции необходима калибровка размера КТ, например, по данным просвечивающей электронной микроскопии. В литературе есть сведения о 4х выполненных калибровках для КТ СбБс , . Одной из первых была калибровка года . В основном, ее использовали для оценки среднего размера частиц по максимуму люминесценции. Г 1. Х4 2. Л3 1. Х2 0. Х 1. Калибровка приведена на рис. Недавно выполнено уточнение для более точного определения размера пока нет статей, где бы применялся подход и калибровка . Однако в этом обзоре присутствует важное утверждение, подтверждаемое практикой спектроскопия поглощения едва ли не лучший способ характеризации размеров частиц, по сравнению с ПЭМ изза ограниченного числа наблюдаемых объектов. Рис. Зависимость из 9, используемая для определения среднего размера КТ . Из выполненного выше нахождения волновых функций электрона и дырки 1. Вывод правил отбора 1 дает простые соотношения Дп0 и Д. Переходы, не соответствующие этим правилам, будут иметь низкую вероятность и, следовательно, низкую интенсивность на спектрах поглощения. Более детальное рассмотрение проблемы снимает ограничение по п, и в реальных спектрах поглощения наблюдаютея переходы с ДпО, хотя и с меньшей относительно других интенсивностью. В статье ранее в подробно отнесены несколько первых переходов в спектрах поглощения КТ разного размера спектры показаны на рис. Видно, что по мере увеличения дисперсии по размерам многие переходы становятся малоразличимыми. В теории взаимодействия излучения с веществом вводится понятие силы осциллятора i2, для энергетических переходов но типу электрическою диполяосциллятора между состояниями 1 и 2 с энергиями и Е2. Это безразмерная величина, характеризующая силу того или иного перехода, показывающая, насколько велик его вклад во взаимодействие со светом. Для квантовых точек сила осцилляторов растет от низшего к более высоким переходам 1 также по расчетам сила осциллятора одноэлектронного перехода может быть более 1 значения порядка 1 являются типичными 1, . Поглощение света при внешнем возбуждении является вынужденным процессом, а испускание является спонтанным вероятное гным процессом.