Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций

СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ И СУБСТРУКТУРА МНОГОСЛОЙНЬГХ ПЛЕНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙЛИТЕРАТУРНЬ1Й ОБЗОР. Современные представления о субструктуре многослойных пленочных композиций. Виды многослойных композиций. Основные критерии ориентированной кристаллизации тонких пленок. Обзор существующих методов автоматизации проектирования технологических процессов
1. Заключение. Постановка задачи исследования. Структура информационной системы. Типовые компоненты и этапы проектирования информационных систем. Разработка функциональной структуры ИС. Определение набора данных, хранимых в БД. Установление связей между таблицами БД. Задачи решаемые ИС в зависимости от вида ориентированной многослойной композиции. Определение ориентационных соотношений композиции
1. За последние три десятка лет произошло стремительное развитие тонкопленочной технологии, и теперь практически ни одно радиоэлектронное изделие не обходится без приборов, произведенных с использованием этой технологии. Свойства тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков широко используются при создании многих приборов и установок в электронике, вычислительной технике и технике СВЧ.


Эти методы позволяют выращивать тонкие пленки практически всех материалов. Каждый из них имеет преимущества и недостатки, и в зависимости от наносимого материала, технологических возможностей, а также необходимых свойств получаемых элементов может применяться один из этих методов. В нашем исследовании рассмазривается получение пленок с помощью метода термического испарения и кон
денсации в вакууме. Конденсация испаренного материала в условиях эпитаксиального роста, позволяет получить монокристаллические пленки заданной толщины и ориентации. При испарении в достаточно высоком вакууме благодаря ректификации происходит дополнительная очистка вещества. Метод термического испарения в вакууме позволяет контролировать большинство параметров процесса испарения и конденсации и открывает возможности для полной автоматизации технологии получения тонких пленок 4. Изменяя условия кристаллизации в процессе роста, можно менять состав, структуру и свойства пленок. В тоже время процессы, связанные с образованием тонких пленок, имеющих определенную кристаллографическую ориентацию и свойства, при термическом испарении в вакууме очень сложны, и многие явления, протекающие при этом, еще недостаточно изучены. Поэтому необходимо дальнейшее изучение закономерностей и характерных особенностей образования и роста ориентированных кристаллических зародышей, кинетики коалесценции, процессов регулируемой кристаллизации, позволяющих получать материалы необходимой кристаллографической ориентации и структуры.