Структура и свойства конструкционных износостойких материалов на основе карбида кремния, получаемых методом реакционного спекания

  • Автор:
  • Специальность ВАК РФ: 05.16.01, 05.16.06
  • Научная степень: Докторская
  • Год защиты: 2000
  • Место защиты: Санкт-Петербург
  • Количество страниц: 268 с. : ил
  • Стоимость: 230 руб.
Титульный лист Структура и свойства конструкционных износостойких материалов на основе карбида кремния, получаемых методом реакционного спекания
Оглавление Структура и свойства конструкционных износостойких материалов на основе карбида кремния, получаемых методом реакционного спекания
Содержание Структура и свойства конструкционных износостойких материалов на основе карбида кремния, получаемых методом реакционного спекания
ВВЕДЕНИЕ. Глава I. КАРБИД КРЕМНИЯ КАК ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ВЕЩЕСТВО. Глава 2. НЕКОТОРОЕ ВИДЫ ИЗНОСОСТОЙКИХ МАТЕРИАЛОВ КОНЗТРУКЦИОНШГО НАЗНАЧЕНИЯ НА ОСШВЕ ТЕХНИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ. Плотные i материалы, получаемые методом горячего прессования . Пиролитически освященные iматериалы . Краткие выводы из обзора литературы и постановка задач исследования. Глава 3. Приготовление шихты и прессование заготовок. Влияние состава шихты на объемную усадку прессованных изделий при их силицирундем обжиге . Плотность прессованных образцов и содержание карбида кремния в них после сияицируипего обжига. Влияние природы углеродистого материала на структуру реакционноспеченного карбида кремния. Механизм формирования структуры реакционноспеченного i материала. Эпитаксиальное осаждение вторичного карбида кремния на зернах первичного i при сияицировании заготовок i Б1связка 1
удовлетворительно согласуется значение 9КГ4 ат. I3I3 X 3,Т, где х с, ат. Карбид кремния существует в двух модификациях кубической i со структурой типа сфалерита символ Пирсона СР8 , пр.


Однако, в отдельных случаях позже i был получен из легкоплавких расплавов алюминия, кремния и цинка при 8К. По данным ряда авторов при температурах 2I 3i перекристаялизовывается в i, а наиболее быстрая перекристаллизация идет при К. Выше температуры К i термически разлагается на элементы. Истинное положение границы между областями устойчивого существования i и i однако неизвестно до настоящего времени. Предполагается, что переход ii осущестляется через газовую фазу, поскольку энергия активации процесса такого перехода составляет 0, кДжмояь и близка к значению теплоты испарения i , равной 6 кДжмоль. Установлено, что большое влияние на образование 3 i и с i оказывает не только температура, но и давление и наличие примесей. Так, Скейс и Слек получали кристаллы I при температуре К и выше под давлением ,4 кПа. При таком давлении может наблюдаться переход обi с вi , а при наличии примесей . К например, при I3. Присутствие примесей таких элементов как а1 , в , Ре приводит к стабилизации с4формы I . Рассмотренные выше диаграммы состояния системы i рис. Однако при высоких температурах требуется знание условий разложения карбида кремния. Согласно данным Б. Степени протекания и молярные доли компонентов н4 этих реакций в зависимости от температуры Т,К приведены на рис. Под степенью протекания реакций в данном случае понимается доля распавшегося i , соответствующая реакции, идущей по схемам I4. Из рис. I может иметь место только при температуре ниже К. С повышением температуры содержание i , i2 и i увеличивается, а содержание i уменьшается.

Рекомендуемые диссертации данного раздела